01 · 技术概览
可变角度样品台实现掠射角沉积（GLAD）：样品相对于沉积羽流被旋转到倾斜角度，使材料以独特的图案在基片上生长，从而开启对材料三维性能的探索。
同样的倾斜能力还允许蒸发源布置在腔体内几乎任何位置（包括侧面），并支持对三维形貌特征的保形镀膜。
- 倾角范围 -95° 至 +95°，重复定位精度优于 0.1°，并支持连续旋转
- 样品台直径 50 mm 至 500 mm 可选，并可配置 800°C 加热和 -150°C 冷却
- 可从任意方向进行无阴影效应的剥离（lift-off）沉积，蒸发源可灵活布置于腔体侧面等位置
- 优于 0.1° 的公差可重复制备极其精密的纳米结构
量子计算用超导电路与量子比特对复杂纳米结构的形状与性能进行可控生长面向成像应用的三维形貌保形镀膜无阴影效应的直接剥离（lift-off）沉积
02 · 核心能力
角度控制如何改变工艺
从约瑟夫森结的双角度蒸发到三维结构的保形覆盖，角度是常被低估的工艺变量。
01
技术规格
Angstrom 可变角度样品台的倾角范围为 -95° 至 +95°，重复定位精度优于 0.1°，并支持基片连续旋转。样品台直径可选 50 mm 至 500 mm。温控选项可扩展至 800°C 加热和 -150°C 冷却，使角度控制能够与完整的基片温度管理相结合。加州大学尔湾分校的 Steven Jim 博士指出，Angstrom 将可实现的角度偏差从 ±1° 改进到小于 0.1°，正是这种极窄的公差让其团队能够重复制备极其精密的纳米结构。
02
部署形式
Angstrom 已将可变角度技术部署于独立腔体、多样品台系统、具备原位自动传输能力的平台，并作为 Nexdep PVD 平台的集成选项提供。
03 · 技术优势
技术优势
- 倾角范围 -95° 至 +95°，重复定位精度优于 0.1°，并支持连续旋转
- 样品台直径 50 mm 至 500 mm 可选，并可配置 800°C 加热和 -150°C 冷却
- 可从任意方向进行无阴影效应的剥离（lift-off）沉积，蒸发源可灵活布置于腔体侧面等位置
- 优于 0.1° 的公差可重复制备极其精密的纳米结构
系统细节
系统与工艺细节
