沉积平台 · 低压化学气相沉积

LPCVD

研究与应用石墨烯及碳纳米管的理想工具——专为满足石墨烯与 CNT 研究对高温及快速降温的严苛要求而设计制造。

1100 °C最高温度
1100 °C in 10 minutes升温速率
Up to 12质量流量控制器
低压化学气相沉积石墨烯碳纳米管快速升温12 路 MFC
Angstrom Engineering 原厂制造 · 昂斯创中国独家代理与服务
LPCVD低压化学气相沉积
LPCVD 薄膜沉积系统
快速了解

LPCVD是低压化学气相沉积。研究与应用石墨烯及碳纳米管的理想工具——专为满足石墨烯与 CNT 研究对高温及快速降温的严苛要求而设计制造。 LPCVD 平台配备水冷石英灯管加热炉,10 分钟内即可升至 1100°C,并能在 2 分钟内从 1100°C 降至 800°C 以下,以极短的工艺时间实现可控的石墨烯生长。昂斯创贸易(上海)有限公司为其中国独家授权代理,提供选型、原厂技术沟通与全周期服务。

01 · 技术概览

LPCVD 平台配备水冷石英灯管加热炉,10 分钟内即可升至 1100°C,并能在 2 分钟内从 1100°C 降至 800°C 以下,以极短的工艺时间实现可控的石墨烯生长。

系统兼容从单个小样品到 6 英寸晶圆批量处理的多种规模,石英腔管可在 Ø50 mm 至 Ø200 mm 之间互换。

  • Ø50 mm–Ø200 mm 可互换腔管
  • 从单样品到 6 英寸晶圆批量处理配置
  • 最多 12 路质量流量控制器
  • 多腔体独立运行
02 · 核心能力

核心能力与工艺配置

设备能力需要落到材料、基片、界面、控制与维护场景中理解。以下内容整理自原厂公开资料,用于建立选型边界。

01

反应器

可互换石英管腔体(Ø50 mm–Ø200 mm),可容纳单片或多片基片,最大尺寸 150 mm × 150 mm。上下游端法兰配备快接式进气、抽气与真空计接口。

02

温度与压力控制

单温区石英灯管加热炉,均温区长 6 英寸,温控自整定确保稳定;10 分钟升温至 1100°C,2 分钟内从 1100°C 降至 800°C 以下。下游压力通过 VAT 节流蝶阀在 100 mTorr–500 Torr 范围内调节,最多可配置 12 路质量流量控制器(MFC)管理工艺气体。

03

操作与安全

配备硬件与软件双重安全联锁、可燃气体(H₂)传感器以及带安全防护的封闭式机架。PC/PLC 控制器运行 Windows 平台的配方与控制软件,支持配方编辑、数据记录与密码分级权限管理。

04

Aeres 先进工艺控制软件

PC/PLC 控制的工艺配方支持单次、批量或全自动流程;先进的数据记录与工艺追踪;高分辨率控制确保低速率稳定性;中央控制站统一管理多个模块;多腔体独立控制;复杂配方轻松创建与修改;PID 控制回路自动整定。

沉积源 · 01

石墨烯生长

快速升降温能力实现可控的石墨烯沉积,工艺时间大幅缩短。

沉积源 · 02

碳纳米管(CNT)合成

面向碳纳米管合成与二维材料工艺的高温低压化学气相沉积。

沉积源 · 03

实验室级批量制备

支持从单个小样品到最大 6 英寸晶圆的批量处理。

03 · 技术规格

技术规格参考

以下数据整理自 Angstrom Engineering 官方公开资料,用于建立选型边界;最终配置与性能以项目技术协议为准。

最高温度
1100 °C
升温速率
1100 °C in 10 minutes
降温速率
1100 °C to < 800 °C in 2 minutes
下游压力范围
100 mTorr – 500 Torr (throttling VAT butterfly valve)
腔管直径
Ø50 mm – Ø200 mm (interchangeable; Ø2 in – Ø8 in)
均温区长度
6 inches (single-zone quartz-lamp furnace)
最大基片尺寸
150 mm × 150 mm; wafer batches up to 6 in
质量流量控制器
Up to 12
04 · 可选配置

可选配置

以下配置项可按研究路线逐步加入;最终组合由材料体系、目标膜质、样品尺寸与污染隔离要求共同决定。

  • Ø50 mm–Ø200 mm 可互换腔管
  • 从单样品到 6 英寸晶圆批量处理配置
  • 最多 12 路质量流量控制器
  • 多腔体独立运行
用户评价

来自用户的长期反馈

自交付之日起,这套系统的表现近乎完美,使我们的实验能力超越了全球任何有机薄膜实验室。这一成功源于卓越的工程设计以及 Angstrom 高度协作的服务方式。
Prof. Stephen ForrestUniversity of Michigan(密歇根大学)

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常见问题

关于LPCVD的常见问题

LPCVD 是什么设备?
LPCVD 是加拿大 Angstrom Engineering 设计制造的低压化学气相沉积。研究与应用石墨烯及碳纳米管的理想工具——专为满足石墨烯与 CNT 研究对高温及快速降温的严苛要求而设计制造。
LPCVD 支持哪些工艺与可选配置?
常见配置包括:Ø50 mm–Ø200 mm 可互换腔管、从单样品到 6 英寸晶圆批量处理配置、最多 12 路质量流量控制器、多腔体独立运行 等。最终组合由材料体系、目标膜质、样品尺寸与污染隔离要求共同决定,可按研究路线分阶段加入。
LPCVD 的关键技术规格有哪些?
最高温度:1100 °C;升温速率:1100 °C in 10 minutes;降温速率:1100 °C to < 800 °C in 2 minutes;下游压力范围:100 mTorr – 500 Torr (throttling VAT butterfly valve)。以上为原厂公开参考值,实际以项目技术协议为准。
LPCVD 适合哪些研究方向?
典型方向包括石墨烯、碳纳米管、快速升温、12 路 MFC。为石墨烯、碳纳米管与新兴材料设计:10 分钟升至 1100°C,宽压力窗口与多路气路。
LPCVD 如何报价?
设备价格由工艺、真空、沉积源、样品台、监测、自动化与厂务条件共同决定。建议通过网站表单提供目标薄膜、基片尺寸、膜厚均匀性要求与项目阶段,我们会协助整理配置边界并对接原厂形成报价;也可直接致电 021-68367388 沟通。
LPCVD 在中国如何获得服务与支持?
昂斯创贸易(上海)有限公司是 Angstrom Engineering 在中国的独家授权代理,负责设备选型、原厂技术沟通、安装协调、培训衔接、备件与耗材供应及长期服务,覆盖中国大陆地区的高校、科研院所与企业研发用户。
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