沉积技术
同一层薄膜，可能有完全不同的工艺路径
蒸发、溅射、ALD、PLD、CVD 与离子束工艺各有适用边界。正确的技术路线需要同时考虑材料、基片热预算、膜质、覆盖、污染与后续器件结构。
01 · 工艺对比
六类主流薄膜工艺，一张表看懂差异
同一层薄膜可能有完全不同的工艺路径；下表帮助从材料与器件角度快速定位方向。
| 技术 | 成膜原理 | 膜层特点 | 典型材料 | 代表应用 |
|---|---|---|---|---|
| 热蒸发 | 电阻加热材料至蒸发 | 纯净、低损伤、低速可控 | 有机小分子、金属（Al、Ag、Au） | OLED、电极、约瑟夫森结 |
| 电子束蒸发 | 电子束局部加热高熔点材料 | 致密、纯度高、速率宽 | 难熔金属、氧化物（Nb、Ti、SiO₂） | 光学膜、超导薄膜、硬质涂层 |
| 磁控溅射 | 等离子体轰击靶材溅出原子 | 附着力好、成分保真、可反应溅射 | 金属、合金、TCO、氮化物 | 电极、阻挡层、TCO、超导材料 |
| HiPIMS | 高功率脉冲高离化溅射 | 更致密、更平滑、绕镀性好 | 硬质涂层、致密金属膜 | 高性能功能层与致密阻挡层 |
| CVD / LPCVD | 气相前驱体表面反应成膜 | 保形、大面积、结晶可控 | 石墨烯、碳纳米管、氮化硅 | 二维材料、钝化层、结构层 |
| 离子束工艺 | 独立离子源溅射或辅助 | 极低缺陷、精确控制 | 高端光学膜、界面处理 | 激光镜片、精密光学、表面清洗 |
表中为方向性对比；实际选择还需考虑基片热预算、界面、污染边界与后续器件结构。
02 · 沉积技术
核心沉积技术
每种技术整理了工作原理、工程实现、优势与典型应用。
01 · 沉积技术
溅射沉积
基于等离子体的薄膜沉积技术，几乎适用于任何材料 —— RF、DC、脉冲 DC 及反应溅射工艺，可搭载于 Angstrom 全系列平台。
02 · 沉积技术
电子束蒸发
高能电子束物理气相沉积（PVD），适用于难熔金属、介电材料与精密光学镀膜
03 · 沉积技术
电阻式热蒸发
简洁、温和、高纯度的热蒸发 PVD——涵盖蒸发舟、蒸发炉（effusion cell）到感应加热的完整方案
04 · 沉积技术
离子束处理
用于沉积、刻蚀、清洗与薄膜致密化的高精度离子源技术
05 · 沉积技术
HiPIMS 高功率脉冲磁控溅射
短促而强烈的功率脉冲产生超高密度等离子体和高度离化的沉积束流，无需高基片温度即可制备致密、坚硬、保形性优异的薄膜。
06 · 沉积技术
化学气相沉积
基于前驱气体反应的保形、高通量薄膜制备——涵盖 LPCVD、快速退火与扩散炉工艺
03 · 工艺增强
过程增强、集成与自动化
角度、温度、偏压、掩模、手套箱与监测——这些"外围"能力往往决定工艺能否复现。
