Amod PVD是长源基距 PVD 平台。不大不小，恰到好处。 Amod PVD 平台拥有更大的腔体蒸发距离（throw distance），并可容纳更多的工艺增强模块。昂斯创贸易（上海）有限公司为其中国独家授权代理，提供选型、原厂技术沟通与全周期服务。
Amod PVD 平台拥有更大的腔体蒸发距离（throw distance），并可容纳更多的工艺增强模块。 您的科研目标、生产需求以及最终应用方向，将决定 Amod PVD 平台的具体配置方案。
让我们携手合作，为您量身设计一套完全契合需求的沉积系统。
- 溅射：RF、DC、脉冲 DC、HIPIMS、反应溅射；圆形、线形及圆柱形阴极
- 热蒸发：蒸发舟、灯丝及坩埚加热器
- 电子束蒸发，可选多电子束源配置
- 等离子体与离子束源，含辉光放电等离子清洗
- 样品台加热与冷却
核心能力与工艺配置
设备能力需要落到材料、基片、界面、控制与维护场景中理解。以下内容整理自原厂公开资料，用于建立选型边界。
更大的蒸发距离
Amod 平台提供更大的腔体蒸发距离，有利于提升膜厚均匀性，并可胜任要求更高的沉积工艺。
容纳更多工艺增强模块
相比紧凑型平台，Amod 腔体可容纳更多工艺增强模块，支持多种沉积技术的组合配置。
样品台加热与冷却
可选配基片台加热与冷却功能，实现精确控温条件下的薄膜沉积。
可变角度样品台
可变角度样品台，满足掠射角沉积（GLAD）等角度相关的沉积工艺需求。
卷对卷镀膜
卷对卷（Roll-to-Roll）镀膜能力，适用于柔性基材的连续镀膜。
掩膜挡板
掩膜挡板系统，实现薄膜图形化与厚度的精确控制。
行星式与球面（Dome）夹具
行星式旋转夹具与球面（Dome）夹具，可显著提升多基片批量镀膜的膜厚均匀性。
基片偏压
基片偏压功能，用于薄膜致密化及膜层性能调控。
进样腔（Load Lock）
配备进样腔（Load Lock），无需破坏主腔真空即可快速更换样品，大幅提升工艺效率。
基片传输
腔体或模块间的自动化基片传输。
掩膜版处理
自动化掩膜版处理，支持图形化沉积工艺流程。
AERES 高级工艺控制软件
基于 PC/PLC 的工艺配方控制，支持单次、批量或全自动工艺运行。先进的数据记录与过程追踪功能确保工艺的一致性与可重复性。高分辨率控制带来出色的低速率稳定性和精准一致的掺杂比例。中央控制站统一管理各模块并调度各腔体的工艺进程，可对多个腔体进行独立控制（如适用）。复杂工艺配方可轻松创建与修改，自动 PID 控制回路整定功能大幅缩短工艺开发周期。
磁控溅射
支持 RF（射频）、DC（直流）、脉冲 DC、HIPIMS（高功率脉冲磁控溅射）及反应溅射工艺，可选配圆形、线形及圆柱形阴极靶。
热蒸发
兼容多种蒸发舟、灯丝及坩埚加热器，自动整定功能实现精确的沉积速率控制。
电子束蒸发
提供多种蒸发源功率与电源选项。可编程扫描控制器带工艺配方存储功能。扭矩感应式坩埚转位器可检测料槽卡阻。可选在同一腔体内配置多个电子束蒸发源。
等离子体与离子束
提供多种离子源，用于基片清洗与薄膜性能增强，包括辉光放电等离子清洗。
可选配置
以下配置项可按研究路线逐步加入；最终组合由材料体系、目标膜质、样品尺寸与污染隔离要求共同决定。
- 溅射：RF、DC、脉冲 DC、HIPIMS、反应溅射；圆形、线形及圆柱形阴极
- 热蒸发：蒸发舟、灯丝及坩埚加热器
- 电子束蒸发，可选多电子束源配置
- 等离子体与离子束源，含辉光放电等离子清洗
- 样品台加热与冷却
- 可变角度样品台
- 卷对卷镀膜
- 掩膜挡板
- 行星式与球面夹具
- 基片偏压
- 进样腔（Load Lock）
- 基片传输
- 掩膜版处理
系统与工艺细节
来自用户的长期反馈
他们的服务水平和与客户的紧密联系——无论何时都会回复邮件、远程协助排查问题——远超我以往见过的任何厂商。正是这种互动让我从此成为他们的铁杆客户。
