应用方案

透明导电氧化物

高透光、低电阻的 ITO 与 IZO 薄膜,均匀性优于 5%——同时保护下方的敏感器件层。

应用方案精确的反应气体(氧气)管理,平衡…先进的等离子体调控,防止溅射损伤…厚度不均匀性低于 5%;已在 Ø…
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透明导电氧化物应用方案
透明导电氧化物 应用
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透明导电氧化物:高透光、低电阻的 ITO 与 IZO 薄膜,均匀性优于 5%——同时保护下方的敏感器件层。 氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电氧化物必须同时做到两件事:透光与导电。

01 · 技术概览

氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电氧化物必须同时做到两件事:透光与导电。它们是光电器件不可或缺的材料——广泛应用于钙钛矿及其他光伏器件、显示器、触控界面、图像传感器和先进光电器件。

工艺控制是获得高性能 TCO 薄膜的关键:反应气体管理决定电学与光学性能之间的平衡,而等离子体能量必须精细调控,以避免溅射损伤下方脆弱的器件层。Angstrom Engineering 可在多种平台形态上提供优化的 TCO 工艺,并已在 200 mm 晶圆上验证了出色的均匀性指标。

  • 精确的反应气体(氧气)管理,平衡电导率与光学透光性。
  • 先进的等离子体调控,防止溅射损伤下方脆弱的器件层(有机层、钙钛矿层)。
  • 厚度不均匀性低于 5%;已在 Ø200 mm 晶圆上验证 IZO 厚度均匀性 ±0.39%。
  • 方块电阻不均匀性低于 5%;已在 Ø200 mm 晶圆上验证 IZO 方块电阻均匀性 ±4.45%。
  • 550 nm 波长处光学透光率高于 85%。
02 · 核心能力

工艺为什么重要

把每一层的材料、工艺与环境要求连接起来,才能形成可复现的器件流程。以下内容整理自原厂应用资料。

01

双重要求:透光性与导电性

TCO 的性能是通过沉积条件精心权衡设计的结果。氧含量、沉积能量与薄膜微观结构共同决定载流子浓度与迁移率(进而决定方块电阻),同时也决定光学吸收(进而决定透光率)。Angstrom 的目标基准:550 nm 波长处透光率高于 85%,厚度不均匀性与方块电阻不均匀性均低于 5%。

02

反应气体管理

反应溅射过程中的氧分压是平衡电学与光学性能的首要调控手段:氧含量过低会损害透光性,过高则会破坏导电性。通过 Angstrom 工艺控制系统实现的精确、可重复的反应气体质量流量控制,正是高性能 TCO 薄膜得以批次间稳定复现的根本保障。

03

面向敏感器件的低损伤沉积

在光伏与显示应用中,TCO 常常需要沉积在有源器件之上——有机传输层、钙钛矿吸收层或发光叠层。常规磁控溅射的高能离子与电子轰击可能损伤这些脆弱的下层表面。Angstrom 通过先进的等离子体调控策略,在不牺牲薄膜质量的前提下减轻衬底损伤,确保电极不会损害与其接触的器件。

04

已验证的均匀性数据

Angstrom 的 TCO 工艺已验证:在直径 200 mm 晶圆上,IZO 薄膜厚度均匀性达 ±0.39%,方块电阻均匀性达 ±4.45%——两项指标均远优于厚度与方块电阻不均匀性低于 5% 的目标,且 550 nm 处透光率高于 85%。

03 · 关键工艺要求

关键工艺要求

这些要求决定了腔体组织、源配置、样品台与自动化的设计边界。

  • 精确的反应气体(氧气)管理,平衡电导率与光学透光性。
  • 先进的等离子体调控,防止溅射损伤下方脆弱的器件层(有机层、钙钛矿层)。
  • 厚度不均匀性低于 5%;已在 Ø200 mm 晶圆上验证 IZO 厚度均匀性 ±0.39%。
  • 方块电阻不均匀性低于 5%;已在 Ø200 mm 晶圆上验证 IZO 方块电阻均匀性 ±4.45%。
  • 550 nm 波长处光学透光率高于 85%。
用户评价

来自用户的长期反馈

这套软件让两台系统都……使用起来非常简单。此外,Angstrom 团队能够远程连接到软件和平台,这一点尤其实用。
Dr. Peter Lomax
Dr. Peter LomaxUniversity of Edinburgh(爱丁堡大学)

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常见问题

关于透明导电氧化物的常见问题

透明导电氧化物制备对设备有哪些关键要求?
精确的反应气体(氧气)管理,平衡电导率与光学透光性。 先进的等离子体调控,防止溅射损伤下方脆弱的器件层(有机层、钙钛矿层)。 厚度不均匀性低于 5%;已在 Ø200 mm 晶圆上验证 IZO 厚度均匀性 ±0.39%。 方块电阻不均匀性低于 5%;已在 Ø200 mm 晶圆上验证 IZO 方块电阻均匀性 ±4.45%。 550 nm 波长处光学透光率高于 85%。
透明导电氧化物研究推荐使用哪些平台?
Multiple Platform Form Factors:Angstrom 优化的 TCO 工艺(ITO、IZO)可在多种平台形态上实现——从紧凑型研发溅射系统到更大规格的配置——根据衬底尺寸与产能需求灵活匹配。 Nexdep:可配置的磁控溅射平台,支持脉冲直流与反应气体控制,非常适合 ITO/IZO 工艺开发。
从哪里开始讨论透明导电氧化物设备方案?
建议先明确目标器件结构、各功能层材料与膜厚、基片尺寸和不可接受的污染来源,然后通过报价页提交需求,我们协助整理与原厂工程团队的技术沟通重点。
透明导电氧化物设备在中国如何获得服务?
昂斯创贸易(上海)有限公司是 Angstrom Engineering 在中国的独家授权代理,负责设备选型、原厂技术沟通、安装协调、培训衔接、备件与耗材供应及长期服务,覆盖中国大陆地区的高校、科研院所与企业研发用户。
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