ALD ONE是原子层沉积系统。先进的原子层沉积平台，兼具卓越的精度与工艺灵活性，专为突破薄膜工程的边界而打造。 ALD ONE 既可作为独立平台使用，也可无缝集成到集束（Cluster）系统中，其设计充分兼顾可扩展性、可靠性与实时工艺优化。昂斯创贸易（上海）有限公司为其中国独家授权代理，提供选型、原厂技术沟通与全周期服务。
ALD ONE 既可作为独立平台使用，也可无缝集成到集束（Cluster）系统中，其设计充分兼顾可扩展性、可靠性与实时工艺优化。原子层沉积（ALD）通过前驱体气体交替脉冲驱动的顺序自限制表面反应逐层生长薄膜，实现原子级厚度控制，并在复杂几何形貌与高深宽比结构上获得极佳的保形覆盖。
平台工作温度相对较低，兼容热敏感材料，支持氧化物、氮化物、硫化物及金属薄膜，可沉积绝缘与导电两类薄膜，满足从科研到中试生产的需求。
- 独立平台或集束系统集成配置
- 手套箱集成，适用于敏感材料
- 空心阴极等离子体源，支持等离子体增强 ALD（PEALD）
- 原位椭偏仪与 QCM 监测选件
- 可扩展至高产能中试或商业化量产
核心能力与工艺配置
设备能力需要落到材料、基片、界面、控制与维护场景中理解。以下内容整理自原厂公开资料，用于建立选型边界。
独立平台与集束系统集成
既可作为独立科研设备部署，也可集成到集束系统中；系统架构可向高产能中试乃至商业化量产扩展。
出色的薄膜均匀性
在 200 mm 直径晶圆上进行 Al₂O₃ 热 ALD 沉积时，薄膜厚度均匀性达 ±1%（1σ）。
先进的原位监测
通过原位椭偏仪与石英晶体微天平（QCM）监测，实时追踪薄膜生长过程。
大尺寸基片兼容性
兼容最大 Ø300 mm 晶圆，或 210 mm × 210 mm（M12/G12）太阳能硅片。
手套箱集成
可选手套箱集成，为对空气和水汽敏感的材料提供受控气氛环境。
空心阴极等离子体源
空心阴极设计的等离子体源可实现洁净、无氧的氮化物沉积工艺。
工艺控制与稳定性
反应器与外腔之间的差压管理确保工艺条件稳定、可重复。
Aeres 先进工艺控制软件
PC/PLC 控制的工艺配方支持单次、批量或全自动流程；先进的数据记录与工艺追踪；中央控制站统一管理多个模块；多腔体独立控制；复杂配方轻松创建与修改；PID 控制回路自动整定。
自限制原子级生长
前驱体交替脉冲驱动的顺序自限制表面反应，实现原子级精度的厚度控制。
复杂形貌的保形镀膜
在复杂几何形貌与高深宽比结构上实现极佳的保形覆盖。
低温工艺
工作温度相对较低，兼容热敏感材料与器件。
广泛的材料体系
支持氧化物、氮化物、硫化物及金属薄膜，可沉积绝缘与导电薄膜，包括等离子体增强的无氧氮化物工艺。
技术规格参考
以下数据整理自 Angstrom Engineering 官方公开资料，用于建立选型边界；最终配置与性能以项目技术协议为准。
- 薄膜厚度均匀性
- ±1% (1σ), thermal ALD Al2O3 on Ø200 mm wafer
- 最大基片尺寸
- Up to Ø300 mm wafers, or 210 mm × 210 mm (M12/G12) solar wafers
- 原位监测
- Ellipsometry and quartz crystal microbalance (QCM)
- 等离子体源
- Hollow-cathode design for oxygen-free nitride processes
可选配置
以下配置项可按研究路线逐步加入；最终组合由材料体系、目标膜质、样品尺寸与污染隔离要求共同决定。
- 独立平台或集束系统集成配置
- 手套箱集成，适用于敏感材料
- 空心阴极等离子体源，支持等离子体增强 ALD（PEALD）
- 原位椭偏仪与 QCM 监测选件
- 可扩展至高产能中试或商业化量产
系统与工艺细节
来自用户的长期反馈
与 Angstrom Engineering 的合作体验非常好。这台 ALD 反应器操作简便，软件直观易用、运行出色。
