Indium Series是铟沉积专用平台。制备高深宽比铟凸点，需要将高沉积速率与低基片温度相结合，以平衡相互竞争的纵向与横向生长速率。 Indium Series（铟系列）平台专为对各项沉积参数的精细控制而设计，可灵活制备多种类型的铟凸点。昂斯创贸易（上海）有限公司为其中国独家授权代理，提供选型、原厂技术沟通与全周期服务。
Indium Series（铟系列）平台专为对各项沉积参数的精细控制而设计，可灵活制备多种类型的铟凸点。
结合 Angstrom 成熟的自动化与高产能技术，该平台是凸点键合（bump bond）制备领域名副其实的主力热蒸发设备——既易于操作，又便于维护。
- 装载锁集成（如带装载锁的 Indium Series 200）
- 电动样品台，源-基距可调
- 液冷系统，温度可变控制
- 水冷源罩，约束沉积羽流
- 扩展配置平台，膜厚可达 100 μm（基础配置为 20 μm）
核心能力与工艺配置
设备能力需要落到材料、基片、界面、控制与维护场景中理解。以下内容整理自原厂公开资料，用于建立选型边界。
厚膜沉积能力
基础平台可在单个真空周期内由单一点源沉积最厚 20 μm 的薄膜；扩展配置平台可将沉积厚度提升至 100 μm。
高铟沉积速率
沉积速率在 1–100 Å/s 范围内高度稳定、可控，膜厚终止准确且可重复。薄膜保持优异的剪切强度、细小晶粒尺寸与良好的剥离（lift-off）良率；通过蒸距与源孔径控制，可对沉积柱状取向进行精细调节。
源与基片冷却
鉴于铟的熔点较低，液冷基片台不可或缺——载液温度范围可低于 -70°C、高至 +150°C。蒸发源外围的水冷罩将沉积羽流约束在基片区域内，从而获得晶粒细小、剪切强度高的织构化铟膜。
卓越的均匀性
电动样品台的源-基距可调节至 680 mm 以上，实现出色的膜厚不均匀性控制，最大限度减小薄膜边缘效应，获得高度可控的膜厚均匀性与剥离几何形貌。
高深宽比铟凸点制备
以高速率、低基片温度进行铟热蒸发，平衡纵向与横向生长，制备高深宽比凸点。
凸点键合与互连沉积
面向倒装焊（flip-chip）凸点键合及先进封装微凸点互连的主力蒸发工艺。
优化的剥离工艺
可控的柱状生长、羽流约束与精确的膜厚终止，最大化剥离良率与几何形貌控制。
温控沉积
液冷基片台与水冷源罩共同维持铟工艺所必需的低温条件。
技术规格参考
以下数据整理自 Angstrom Engineering 官方公开资料，用于建立选型边界；最终配置与性能以项目技术协议为准。
- 基础平台膜厚能力
- Up to 20 μm (single point source, one vacuum cycle)
- 扩展配置膜厚能力
- Up to 100 μm
- 沉积速率范围
- 1 – 100 Å/sec
- 基片台载液温度范围
- Below -70 °C to +150 °C
- 源-基距
- Adjustable to > 680 mm (motorized stage)
可选配置
以下配置项可按研究路线逐步加入；最终组合由材料体系、目标膜质、样品尺寸与污染隔离要求共同决定。
- 装载锁集成（如带装载锁的 Indium Series 200）
- 电动样品台，源-基距可调
- 液冷系统，温度可变控制
- 水冷源罩，约束沉积羽流
- 扩展配置平台，膜厚可达 100 μm（基础配置为 20 μm）
系统与工艺细节
来自用户的长期反馈
EvoVac 的设计非常出色，手套箱接口使用起来十分方便。Angstrom Engineering 在售后服务方面的支持堪称卓越，无可比拟。
