RETICLE IBSD是离子束溅射平台。当精度至关重要时——RETICLE 使命必达。专为制备最高纯度、致密度与稳定性的精密光学薄膜而设计制造。 RETICLE 提供从光学设计到高性能薄膜的一站式（turn-key）解决方案。昂斯创贸易（上海）有限公司为其中国独家授权代理，提供选型、原厂技术沟通与全周期服务。
RETICLE 提供从光学设计到高性能薄膜的一站式（turn-key）解决方案。离子束溅射沉积（IBSD）将聚焦的高能离子束加速射向靶材；聚焦束设计将离子束严格限制在靶材区域内，从根本上消除污染风险。
与蒸发工艺相比，IBSD 薄膜具有更高的致密度、硬度和更优的表面粗糙度；且由于沉积在高真空环境中进行，惰性气体夹杂被降至最低，镀层稳定性显著提升。系统还配备第二离子源，用于基片清洗、离子辅助、反应沉积及原位监测。
- 高真空或超高真空腔体配置
- 4 / 10 / 14 / 22 cm 栅网式 RF-ICP 沉积离子源
- 标配无栅网 end-Hall 第二离子源（含空心阴极中和器）
- 可选栅网式 DC 或 RF-ICP 离子源，用于基片深度刻蚀
- 可选低温泵，含氧反应工艺中可隔离运行
核心能力与工艺配置
设备能力需要落到材料、基片、界面、控制与维护场景中理解。以下内容整理自原厂公开资料，用于建立选型边界。
沉积离子源
栅网式 RF-ICP 离子源提供 4、10、14、22 cm 四种栅网规格，离子能量最高 1200 eV，束流超过 1000 mA。自对准离子光学系统按具体沉积需求配置；低频中和器确保束流稳定运行且无灯丝污染。Aeres 软件对 RF-ICP 离子源实施全自动配方控制。
第二离子源
所有平台标配无栅网 end-Hall 离子源及空心阴极中和器，针对基片清洗/刻蚀、离子辅助沉积（IAD）和反应式 IBSD 进行了优化。可选配栅网式 DC 或 RF-ICP 离子源，用于基片深度刻蚀。
靶材转塔
水冷靶材在尺寸与位置上经过优化，并持续旋转以避免离子束刻蚀织构。转塔最多 8 个靶位并支持自动换位，可完成多层膜沉积；扭矩感应式旋转与换位机制可防止打滑或卡滞。
真空环境
可按高真空或超高真空环境配置，主泵采用高速磁悬浮涡轮分子泵。可选低温泵进一步改善本底真空与抽速，并可在含氧反应工艺中隔离运行；低矮型腔体烘烤加热器可有效去除水汽。
可变角度扫掠
样品台内置穿越沉积流的角度扫掠运动，与样品自转相结合，可提升膜厚均匀性与侧壁覆盖率，并在关键工艺中避开高能反射中性粒子。精密伺服电机提供优于 0.1° 的定位精度；正面红外加热灯随样品台同步倾斜，确保温度分布始终一致。
行星运动
在可变角度样品台上集成第三运动轴，其尺寸、位置与传动比均经优化，以获得最佳膜厚均匀性。
均匀性修正
在源与基片之间设置束流修正挡板实现动态均匀性调控，挡板形状经建模计算并针对每一工艺进行实验优化；其原位倾斜功能可在均匀性与沉积速率之间取得最佳平衡。
精密膜厚控制
光学监测：可选原位光学监测与控制，直接或间接监测可变角度样品台，免除工装系数标定与见证片更换机构。原位椭偏仪：沉积过程中实时反馈光学薄膜性能，提供多波长与光谱型两类方案，椭偏数据可接入 Aeres 实现膜层自动终止。QCM 石英晶体微天平：靠近基片布置的带挡板 QCM 提供沉积速率与物理厚度反馈——典型用法是先标定初始速率，再在固定束流下以时间控制完成膜层；挡板设计可在长时间工艺或配备装载锁的系统中显著延长晶振寿命。
Aeres 先进工艺控制软件
PC/PLC 控制的工艺配方支持单次、批量或全自动流程；先进的数据记录与工艺追踪确保一致性与重复性；高分辨率控制实现低速率稳定与一致的掺杂比例；中央控制站统一管理模块并调度工艺；多腔体独立控制；配方创建修改简便；PID 控制回路自动整定。
精密光学镀膜
增透（AR）膜、高反（HR）膜、激光二极管巴条镀膜、电信光学滤光片，以及氧化钒等特种薄膜。
卓越的薄膜性能
相比蒸发工艺，薄膜致密度与硬度更高、表面粗糙度更优；惰性气体夹杂极低，镀层稳定性出色。
基片清洗与离子辅助沉积
第二离子源可实现沉积前基片清洗/刻蚀、生长过程中的高能离子辅助以及反应式沉积工艺。
多层膜自动化叠层
最多 8 个自动换位靶位，配合原位监测与 Aeres 配方自动化，可在单次、批量或全自动运行中完成复杂的多层光学膜系。
技术规格参考
以下数据整理自 Angstrom Engineering 官方公开资料，用于建立选型边界；最终配置与性能以项目技术协议为准。
- 离子能量
- Up to 1200 eV
- 束流
- > 1000 mA
- 沉积离子源栅网规格
- 4, 10, 14, or 22 cm (gridded RF-ICP)
- 靶材转塔靶位数
- Up to 8, with automatic indexing
- 可变角度样品台定位精度
- Better than 0.1°
可选配置
以下配置项可按研究路线逐步加入；最终组合由材料体系、目标膜质、样品尺寸与污染隔离要求共同决定。
- 高真空或超高真空腔体配置
- 4 / 10 / 14 / 22 cm 栅网式 RF-ICP 沉积离子源
- 标配无栅网 end-Hall 第二离子源（含空心阴极中和器）
- 可选栅网式 DC 或 RF-ICP 离子源，用于基片深度刻蚀
- 可选低温泵，含氧反应工艺中可隔离运行
- 可选原位光学监测选件
- 多波长或光谱型原位椭偏仪
- 带挡板或不带挡板的 QCM 晶振探头
- 行星运动样品台；可变角度扫掠及随动红外加热
- 装载锁（Load Lock）集成
系统与工艺细节
来自用户的长期反馈
可变角度样品台能够实现非常强大的薄膜技术，但重复性是最大的挑战之一——哪怕角度偏差半度，纳米结构的形貌都会显著改变。Angstrom 将倾角公差从最高 1 度优化到 0.1 度以内，让我们能够反复制备出极为精确的纳米结构。Angstrom Engineering 提供的产品与服务令人赞叹。
